首页 > IC > I-1059页 >

IPB034N06N3G

供应查询

您是不是要找：IPB034N06N3GATMA1 IPB034N06N3GATMA2 IPB035N08N3G IPB035N08N3GATMA1 IPB036N12N3G

IPB034N06N3GATMA2

Infineon Techn..

PG-TO263-7-3

2023+

500

全新原装进口现货品质保证

深圳市同亨电子有限公司

电话：18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐

IPB034N06N3GATMA1

Infineon Techn..

PG-TO263-7

2023+

500

全新原装进口现货品质保证

深圳市同亨电子有限公司

电话：18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐

IPB034N06N3G

InfineonTechno..

TO-263-7,Dsu..

2023+

5995

全新进口原装现货品质保证

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
联系人：肖小姐

IPB034N06N3G

Infineon

D2PAK-7

2023+

12300

【【原装绝对有货】】

IPB034N06N3G

英飞凌

(TO-263)

2023+

3000

低价格.高品质.服务好.现..

相关型号： IPB034N06N3 G IPB034N06L3 G IPB034N03L G IPB031NE7N3 G IPB030N08N3 G IPB029N06N3 G E8187

IPB034N06N3 G
PDF资料下载

IPB034N06N3 G参数：MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
标准包装：1,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.4毫欧@100A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@93µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：130nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：11000pF@30V
功率-最大值：167W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-7，D²Pak（6引线+接片），TO-263CB
供应商器件封装：PG-TO263-7

IPB034N06N3G

document.write('<a href=http://www.infineon.com/dgdl/IPB034N06N3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b457fae6c7d64 rel=nofollow class=tit target="_blank">')IPB034N06N3 GPDF资料下载document.write('</a>')

在线询价

IPB034N06N3 G
PDF资料下载